Оперативная память ddr2 sdram. Современная память DDR2. Габариты планок или так называемый Форм — фактор

Оперативная память используется для временного хранения данных, необходимых для работы операционной системы и всех программ. Оперативной памяти должно быть достаточно, если ее не хватает, то компьютер начинает тормозить.

Плата с чипами памяти называется модулем памяти (или планкой). Память для ноутбука, кроме размера планок, ни чем не отличается от памяти для компьютера, поэтому при выборе руководствуйтесь теми же рекомендациями.

Для офисного компьютера достаточно одной планки DDR4 на 4 Гб с частотой 2400 или 2666 МГц (стоит почти одинаково).
Оперативная память Crucial CT4G4DFS824A

Для мультимедийного компьютера (фильмы, простые игры) лучше взять две планки DDR4 с частотой 2666 МГц по 4 Гб, тогда память будет работать в более быстром двухканальном режиме.
Оперативная память Ballistix BLS2C4G4D240FSB

Для игрового компьютера среднего класса можно взять одну планку DDR4 на 8 Гб с частотой 2666 МГц с тем, чтобы в будущем можно было добавить еще одну и лучше если это будет ходовая модель попроще.
Оперативная память Crucial CT8G4DFS824A

А для мощного игрового или профессионального ПК нужно сразу брать набор из 2 планок DDR4 по 8 Гб, при этом будет вполне достаточно частоты 2666 МГц.

2. Сколько нужно памяти

Для офисного компьютера, предназначенного для работы с документами и выхода в интернет, с головой достаточно одной планки памяти на 4 Гб.

Для мультимедийного компьютера, который можно будет использовать для просмотра видео в высоком качестве и нетребовательных игр, вполне хватит 8 Гб памяти.

Для игрового компьютера среднего класса вариантом минимум является 8 Гб оперативки.

Для мощного игрового или профессионального компьютера необходимо 16 Гб памяти.

Больший объем памяти может понадобиться только для очень требовательных профессиональных программ и обычным пользователям не нужен.

Объем памяти для старых ПК

Если вы решили увеличить объем памяти на старом компьютере, то учтите, что 32-разрядные версии Windows не поддерживают более 3 Гб оперативной памяти. То есть, если вы установите 4 Гб оперативной памяти, то операционная система будет видеть и использовать только 3 Гб.

Что касается 64-разрядных версий Windows, то они смогут использовать всю установленную память, но если у вас старый компьютер или есть старый принтер, то на них может не оказаться драйверов под эти операционные системы. В таком случае, перед покупкой памяти, установите 64-х разрядную версию Windows и проверьте все ли у вас работает. Так же рекомендую заглянуть на сайт производителя материнской платы и посмотреть какой объем модулей и общий объем памяти она поддерживает.

Учтите еще, что 64-разрядные операционные системы расходуют в 2 раза больше памяти, например Windows 7 х64 под свои нужды забирает около 800 Мб. Поэтому 2 Гб памяти для такой системы будет мало, желательно не менее 4 Гб.

Практика показывает, что современные операционные системы Windows 7,8,10 полностью раскрываются при объеме памяти 8 Гб. Система становится более отзывчивой, программы быстрее открываются, а в играх исчезают рывки (фризы).

3. Типы памяти

Современная память имеет тип DDR SDRAM и постоянно совершенствуется. Так память DDR и DDR2 уже является устаревшей и может использоваться только на старых компьютерах. Память DDR3 уже не целесообразно использовать на новых ПК, на смену ей пришла более быстрая и перспективная DDR4.

Учтите, что выбранный тип памяти должен поддерживать процессор и материнская плата.

Также новые процессоры, из соображений совместимости, могут поддерживать память DDR3L, которая отличается от обычной DDR3 пониженным напряжением с 1.5 до 1.35 В. Такие процессоры смогут работать и с обычной памятью DDR3, если у вас она уже есть, но производители процессоров это не рекомендуют из-за повышенной деградации контроллеров памяти, рассчитанных на DDR4 с еще более низким напряжением 1.2 В.

Тип памяти для старых ПК

Устаревшая память DDR2 стоит в несколько раз дороже более современной памяти. Планка DDR2 на 2 Гб стоит в 2 раза дороже, а планка DDR2 на 4 Гб в 4 раза дороже планки DDR3 или DDR4 аналогичного объема.

Поэтому, если вы хотите существенно увеличить память на старом компьютере, то возможно более оптимальным вариантом будет переход на более современную платформу с заменой материнской платы и если необходимо процессора, которые будут поддерживать память DDR4.

Подсчитайте во сколько вам это обойдется, возможно выгодным решением будет продать старую материнскую плату со старой памятью и приобрести новые, пусть не самые дорогие, но более современные комплектующие.

Разъемы материнской платы для установки памяти называются слотами.

Каждому типу памяти (DDR, DDR2, DDR3, DDR4) соответствует свой слот. Память DDR3 можно установить только в материнскую плату со слотами DDR3, DDR4 – со слотами DDR4. Материнские платы, поддерживающие старую память DDR2 уже не производят.

5. Характеристики памяти

Основными характеристиками памяти, от которых зависит ее быстродействие, являются частота и тайминги. Скорость работы памяти не оказывает такого сильного влияния на общую производительность компьютера как процессор. Тем не менее, часто можно приобрести более быструю память не на много дороже. Быстрая память нужна прежде всего для мощных профессиональных компьютеров.

5.1. Частота памяти

Частота оказывает наибольшее значение на скорость работы памяти. Но перед ее покупкой необходимо убедиться, что процессор и материнская плата так же поддерживают необходимую частоту. В противном случае реальная частота работы памяти будет ниже и вы просто переплатите за то, что не будет использоваться.

Недорогие материнские платы поддерживают более низкую максимальную частоту памяти, например для DDR4 это 2400 МГц. Материнские платы среднего и высокого класса могут поддерживать память с более высокой частотой (3400-3600 МГц).

А вот с процессорами дело обстоит иначе. Старые процессоры с поддержкой памяти DDR3 могут поддерживать память с максимальной частотой 1333, 1600 или 1866 МГц (в зависимости от модели). Для современных процессоров с поддержкой памяти DDR4 максимально поддерживаемая частота памяти может составлять 2400 МГц или выше.

Процессоры Intel 6-го поколения и выше, а также процессоры AMD Ryzen поддерживают память DDR4 с частотой 2400 МГц или выше. При этом в их модельном ряду есть не только мощные дорогие процессоры, но и процессоры среднего и бюджетного класса. Таким образом, вы можете собрать компьютер на самой современной платформе с недорогим процессором и памятью DDR4, а в будущем поменять процессор и получить высочайшую производительность.

Основной на сегодня является память DDR4 2400 МГц, которая поддерживается наиболее современными процессорами, материнскими платами и стоит столько же как DDR4 2133 МГц. Поэтому приобретать память DDR4 с частотой 2133 МГц сегодня не имеет смысла.

Какую частоту памяти поддерживает тот или иной процессор можно узнать на сайтах производителей:

По номеру модели или серийному номеру очень легко найти все характеристики любого процессора на сайте:

Или просто введите номер модели в поисковой системе Google или Яндекс (например, «Ryzen 7 1800X»).

5.2. Память с высокой частотой

Теперь я хочу затронуть еще один интересный момент. В продаже можно встретить оперативную память гораздо более высокой частоты, чем поддерживает любой современный процессор (3000-3600 МГц и выше). Соответственно, многие пользователи задаются вопросом как же такое может быть?

Все дело в технологии, разработанной компанией Intel, eXtreme Memory Profile (XMP). XMP позволяет памяти работать на более высокой частоте, чем официально поддерживает процессор. XMP должна поддерживать как сама память, так и материнская плата. Память с высокой частотой просто не может существовать без поддержки этой технологии, но далеко не все материнские платы могут похвастаться ее поддержкой. В основном это более дорогие модели выше среднего класса.

Суть технологии XMP заключается в том, что материнская плата автоматически увеличивает частоту шины памяти, благодаря чему память начинает работать на своей более высокой частоте.

У компании AMD существует подобная технология, называемая AMD Memory Profile (AMP), которая поддерживалась старыми материнскими платами для процессоров AMD. Эти материнские платы обычно поддерживали и модули XMP.

Приобретать более дорогую память с очень высокой частотой и материнскую плату с поддержкой XMP есть смысл для очень мощных профессиональных компьютеров, оснащенных топовым процессором. В компьютере среднего класса это будут выброшенные на ветер деньги, так как все упрется в производительность других комплектующих.

В играх частота памяти оказывает небольшое влияние и переплачивать особого смысла нет, достаточно будет взять на 2400 МГц, ну или на 2666 МГц если разница в цене будет небольшая.

Для профессиональных приложений можно взять память с частотой повыше – 2666 МГц или если хотите и позволяют средства на 3000 МГц. Разница в производительности тут больше чем в играх, но не кардинальная, так что загоняться с частотой памяти особого смысла нет.

Еще раз напоминаю, что ваша материнская плата должна поддерживать память требуемой частоты. Кроме того, иногда процессоры Intel начинают работать нестабильно при частоте памяти выше 3000 МГц, а у Ryzen этот предел составляет около 2900 МГц.

Таймингами называются задержки между операциями чтения/записи/копирования данных в оперативной памяти. Соответственно чем эти задержки меньше, тем лучше. Но тайминги оказывают гораздо меньшее влияние на скорость работы памяти, чем ее частота.

Основных таймингов, которые указываются в характеристиках модулей памяти всего 4.

Из них самой главной является первая цифра, которая называется латентность (CL).

Типичная латентность для памяти DDR3 1333 МГц – CL 9, для памяти DDR3 с более высокой частотой – CL 11.

Типичная латентность для памяти DDR4 2133 МГц – CL 15, для памяти DDR4 с более высокой частотой – CL 16.

Не стоит приобретать память с латентностью выше указанной, так как это говорит об общем низком уровне ее технических характеристик.

Обычно, память с более низкими таймингами стоит дороже, но если разница в цене не значительная, то предпочтение следуют отдать памяти с более низкой латентностью.

5.4. Напряжение питания

Память может иметь различное напряжение питания. Оно может быть как стандартным (общепринятым для определенного типа памяти), так и повышенным (для энтузиастов) или наоборот пониженным.

Это особенно важно если вы хотите добавить память на компьютер или ноутбук. В таком случае напряжение новых планок должно быть таким же, как и у имеющихся. В противном случае возможны проблемы, так как большинство материнских плат не могут выставлять разное напряжение для разных модулей.

Если напряжение выставится по планке с более низким вольтажом, то другим может не хватить питания и система будет работать не стабильно. Если напряжение выставится по планке с более высоким вольтажом, то память рассчитанная на меньшее напряжение может выйти из строя.

Если вы собираете новый компьютер, то это не так важно, но чтобы избежать возможных проблем совместимости с материнской платой и заменой или расширением памяти в будущем, лучше выбирать планки со стандартным напряжением питания.

Память, в зависимости от типа, имеет следующие стандартные напряжения питания:

• DDR — 2.5 В
• DDR2 — 1.8 В
• DDR3 — 1.5 В
• DDR3L — 1.35 В
• DDR4 — 1.2 В

Я думаю, вы обратили внимание на то, что в списке есть память DDR3L. Это не новый тип памяти, а обычная DDR3, но с пониженным напряжением питания (Low). Именно такая память нужна для процессоров Intel 6-го поколения и выше, которые поддерживают как память DDR4, так и DDR3. Но лучше в таком случае все же собирать систему на новой памяти DDR4.

6. Маркировка модулей памяти

Модули памяти маркируются в зависимости от типа памяти и ее частоты. Маркировка модулей памяти типа DDR начинается с PC, затем идет цифра, обозначающая поколение и скорость в мегабайтах в секунду (Мб/с).

По такой маркировке неудобно ориентироваться, достаточно знать тип памяти (DDR, DDR2, DDR3, DDR4), ее частоту и латентность. Но иногда, например на сайтах объявлений, можно увидеть маркировку, переписанную с планки. Поэтому, чтобы вы могли сориентироваться в таком случае, я приведу маркировку в классическом виде, с указанием типа памяти, ее частоты и типичной латентности.

DDR – устаревшая

• PC-2100 (DDR 266 МГц) — CL 2.5
• PC-2700 (DDR 333 МГц) — CL 2.5
• PC-3200 (DDR 400 МГц) — CL 2.5

DDR2 – устаревшая

• PC2-4200 (DDR2 533 МГц) — CL 5
• PC2-5300 (DDR2 667 МГц) — CL 5
• PC2-6400 (DDR2 800 МГц) — CL 5
• PC2-8500 (DDR2 1066 МГц) — CL 5

DDR3 – устаревающая

• PC3-10600 (DDR3 1333 МГц) — CL 9
• PC3-12800 (DDR3 1600 МГц) — CL 11
• PC3-14400 (DDR3 1866 МГц) — CL 11
• PC3-16000 (DDR3 2000 МГц) — CL 11

• PC4-17000 (DDR4 2133 МГц) — CL 15
• PC4-19200 (DDR4 2400 МГц) — CL 16
• PC4-21300 (DDR4 2666 МГц) — CL 16
• PC4-24000 (DDR4 3000 МГц) — CL 16
• PC4-25600 (DDR4 3200 МГц) — CL 16

Память DDR3 и DDR4 может иметь и более высокую частоту, но работать с ней могут только топовые процессоры и более дорогие материнские платы.

7. Конструкция модулей памяти

Планки памяти могут быть односторонние, двухсторонние, с радиаторами или без.

7.1. Размещение чипов

Чипы на модулях памяти могут размещаться с одной стороны платы (односторонние) и с двух сторон (двухсторонние).

Это не имеет значения если вы приобретаете память для нового компьютера. Если же вы хотите добавить память на старый ПК, то желательно, чтобы расположение чипов на новой планке было такое же как и на старой. Это поможет избежать проблем совместимости и повысит вероятность работы памяти в двухканальном режиме, о чем мы еще поговорим в этой статье.

Сейчас в продаже можно встретить множество модулей памяти с алюминиевыми радиаторами различного цвета и формы.

Наличие радиаторов может быть оправдано на памяти DDR3 с высокой частотой (1866 МГц и более), так как она сильнее греется. При этом в корпусе должна быть хорошо организована вентиляция.

Современная оперативка DDR4 с частотой 2400, 2666 МГц практически не греется и радиаторы на ней будут носить чисто декоративный характер. Они могут даже мешать, так как через некоторое время забьются пылью, которую из них трудно вычистить. Кроме того, стоить такая память будет несколько дороже. Так что, если хотите, на этом можно сэкономить, например, взяв отличную память Crucial на 2400 МГц без радиаторов.

Память с частотой от 3000 МГц имеет еще и повышенное напряжение питания, но тоже греется не сильно и в любом случае на ней будут радиаторы.

8. Память для ноутбуков

Память для ноутбуков отличается от памяти для стационарных компьютеров только размером модуля памяти и маркируется SO-DIMM DDR. Так же как и для стационарных компьютеров память для ноутбуков имеет типы DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, DDR4.

По частоте, таймингам и напряжению питания память для ноутбуков не отличается от памяти для компьютеров. Но ноутбуки оснащаются только 1 или 2 слотами для памяти и имеют более жесткие ограничения максимального объема. Обязательно уточняйте эти параметры перед выбором памяти для конкретной модели ноутбука.

9. Режимы работы памяти

Память может работать в одноканальном (Single Channel), двухканальном (Dual Channel), трехканальном (Triple Channel) или четырехканальном режиме (Quad Channel).

В одноканальном режиме запись данных происходит последовательно в каждый модуль. В многоканальных режимах запись данных происходит параллельно во все модули, что приводит к значительному увеличению быстродействия подсистемы памяти.

Одноканальным режимом работы памяти ограничены только безнадежно устаревшие материнские платы с памятью DDR и первые модели с DDR2.

Все современные материнские платы поддерживают двухканальный режим работы памяти, а трехканальный и четырехканальный режим поддерживают только некоторые единичные модели очень дорогих материнских плат.

Главным условием работы двухканального режима является наличие 2 или 4 планок памяти. Для трехканального режима необходимо 3 или 6 планок памяти, а для четырехканального 4 или 8 планок.

Желательно, чтобы все модули памяти были одинаковыми. В противном случае работа в двухканальном режиме не гарантируется.

Если вы хотите добавить память на старый компьютер и ваша материнская плата поддерживает двухканальный режим, постарайтесь подобрать максимально идентичную по всем параметрам планку. Лучше всего продать старую и купить 2 новых одинаковых планки.

В современных компьютерах контроллеры памяти были перенесены с материнской платы в процессор. Теперь не так важно, чтобы модули памяти были одинаковыми, так как процессор в большинстве случаев все равно сможет активировать двухканальный режим. Это значит, что если вы в будущем захотите добавить память на современный компьютер, то не обязательно будет искать точь в точь такой же модуль, достаточно выбрать наиболее похожий по характеристикам. Но все же я рекомендую, что бы модули памяти были одинаковыми. Это даст вам гарантию ее быстрой и стабильной работы.

С переносом контроллеров памяти в процессор появились еще 2 режима двухканальной работы памяти – Ganged (спаренный) и Unganged (неспаренный). В случае если модули памяти одинаковые, то процессор может работать с ними в режиме Ganged, как и раньше. В случае, если модули отличаются по характеристикам, то для устранения перекосов в работе с памятью процессор может активировать режим Unganged. В целом скорость работы памяти в этих режимах практически одинаковая и не имеет никакой разницы.

Единственным недостатком двухканального режима является то, что несколько модулей памяти стоят дороже, чем один такого же объема. Но если вы не очень сильно стеснены в средствах, то покупайте 2 планки, скорость работы памяти будет значительно выше.

Если вам нужно, скажем 16 Гб оперативки, но вы пока не можете себе этого позволить, то можно приобрести одну планку на 8 Гб, чтобы в будущем добавить еще одну такую же. Но все же лучше приобретать две одинаковых планки сразу, так как потом может не получиться найти такую же и вы столкнетесь с проблемой совместимости.

10. Производители модулей памяти

Одним из лучших соотношений цена/качество на сегодня обладает память безукоризненно зарекомендовавшего себя бренда Crucial, у которого есть модули от бюджетных до геймерских (Ballistix).

Наравне с ним соперничает пользующийся заслуженной популярностью бренд Corsair, память которого стоит несколько дороже.

Как недорогую, но качественную альтернативу, особенно рекомендую польский бренд Goodram, у которого есть планки с низкими таймингами за невысокую цену (линейка Play).

Для недорогого офисного компьютера достаточно будет простой и надежной памяти производства AMD или Transcend. Они прекрасно себя зарекомендовали и с ними практически не бывает проблем.

Вообще, лидерами в производстве памяти считаются корейские компании Hynix и Samsung. Но сейчас модули этих брендов массово производятся на дешевых китайских фабриках и среди них очень много подделок. Поэтому я не рекомендую приобретать память этих брендов.

Исключением могут быть модули памяти Hynix Original и Samsung Original, которые производятся в Корее. Эти планки обычно синего цвета, их качество считается лучше чем в сделанных в Китае и гарантия на них бывает несколько выше. Но по скоростным характеристикам они уступают памяти с более низкими таймингами других качественных брендов.

Ну а для энтузиастов и любителей модинга есть доступные оверклокерские бренды GeIL, G.Skill, Team. Их память отличается низкими таймингами, высоким разгонным потенциалом, необычным внешним видом и стоит немного дешевле раскрученного бренда Corsair.

В продаже также есть большой ассортимент модулей памяти от очень популярного производителя Kingston. Память, продающаяся под бюджетным брендом Kingston, никогда не отличалась высоким качеством. Но у них есть топовая серия HyperX, пользующаяся заслуженной популярностью, которую можно рекомендовать к приобретению, однако цена на нее часто завышена.

11. Упаковка памяти

Лучше приобретать память в индивидуальной упаковке.

Обычно она более высокого качества и вероятность повреждения при транспортировке значительно ниже, чем у памяти, которая поставляется без упаковки.

12. Увеличение памяти

Если вы планируете добавить память на имеющийся компьютер или ноутбук, то сначала узнайте какой максимальный объем планок и общий объем памяти поддерживает ваша материнская плата или ноутбук.

Также уточните сколько слотов для памяти на материнской плате или в ноутбуке, сколько из них занято и какие планки в них установлены. Лучше сделать это визуально. Откройте корпус, выньте планки памяти, рассмотрите их и перепишите все характеристики (или сделайте фото).

Если по какой-то причине вы не хотите лезть в корпус, то посмотреть параметры памяти можно в программе на вкладке SPD. Таким образом вы не узнаете односторонняя планка или двухсторонняя, но можете узнать характеристики памяти, если на планке нет наклейки.

Есть базовая и эффективная частота памяти. Программа CPU-Z и многие подобные показывают базовую частоту, ее нужно умножать на 2.

После того, как вы узнаете до какого объема можете увеличить память, сколько свободных слотов и какая память у вас установлена, можно будет приступать к изучению возможностей по увеличению памяти.

Если все слоты для памяти заняты, то единственной возможностью увеличения памяти остается замена существующих планок на новые большего объема. А старые планки можно будет продать на сайте объявлений или сдать на обмен в компьютерный магазин при покупке новых.

Если свободные слоты есть, то можно добавить к уже существующим планкам памяти новые. При этом желательно, чтобы новые планки были максимально близки по характеристикам уже установленным. В этом случае можно избежать различных проблем совместимости и повысить шансы того, что память будет работать в двухканальном режиме. Для этого должны быть соблюдены следующие условия, в порядке важности.

1. Тип памяти должен совпадать (DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, DDR4).
2. Напряжение питания всех планок должно быть одинаковым.
3. Все планки должны быть односторонние или двухсторонние.
4. Частота всех планок должна совпадать.
5. Все планки должны быть одинакового объема (для двухканального режима).
6. Количество планок должно быть четным: 2, 4 (для двухканального режима).
7. Желательно, чтобы совпадала латентность (CL).
8. Желательно, чтобы планки были того же производителя.

Проще всего начать выбор с производителя. Выбирайте в каталоге интернет-магазина планки того же производителя, объема и частоты, как установлены у вас. Убедитесь, что совпадает напряжение питания и уточните у консультанта односторонние они или двухсторонние. Если будет еще совпадать и латентность, то вообще хорошо.

Если вам не удалось найти похожие по характеристикам планки того же производителя, то выбирайте всех остальных из перечня рекомендуемых. Затем опять ищите планки нужного объема и частоты, сверяете напряжение питания и уточняете односторонние они или двухсторонние. Если вам не удалось найти похожие планки, то поищите в другом магазине, каталоге или на сайте объявлений.

Всегда лучший вариант это продать всю старую память и купить 2 новых одинаковых планки. Если материнская плата не поддерживает планки нужного объема, возможно придется купить 4 одинаковых планки.

13. Настройка фильтров в интернет-магазине

1. Зайдите в раздел «Оперативная память» на сайте продавца.
2. Выберите рекомендуемых производителей.
3. Выберите формфактор (DIMM — ПК, SO-DIMM — ноутбук).
4. Выберете тип памяти (DDR3, DDR3L, DDR4).
5. Выберите необходимый объем планок (2, 4, 8 Гб).
6. Выберите максимально поддерживаемую процессором частоту (1600, 1866, 2133, 2400 МГц).
7. Если ваша материнская плата поддерживает XMP, добавьте к выборке память с более высокой частотой (2666, 3000 МГц).
8. Отсортируйте выборку по цене.
9. Последовательно просматривайте все позиции, начиная с более дешевых.
10. Выберите несколько планок подходящих по частоте.
11. Если разница в цене для вас приемлема, берите планки с большей частотой и меньшей латентностью (CL).

Таким образом, вы получите оптимальную по соотношению цена/качество/скорость память за минимально возможную стоимость.

14. Ссылки

Оперативная память Corsair CMK16GX4M2A2400C16
Оперативная память Corsair CMK8GX4M2A2400C16
Оперативная память Crucial CT2K4G4DFS824A

Теоретические основы и первые результаты низкоуровневого тестирования

DDR2 — новый стандарт памяти, утвержденный (Joint Electronic Device Engineering Council), в состав которого входят многие производители микросхем и модулей памяти, а также чипсетов. Ранние версии стандарта были опубликованы уже в марте 2003 года, окончательно он был утвержден лишь в январе 2004 года и получил наименование DDR2 SDRAM SPECIFICATION, JESD79-2, ревизия A (). DDR2 основывается на хорошо известной и зарекомендовавшей себя технологии DDR (Double Data Rate). Можно даже сказать так: «DDR2 начинается там, где заканчивается DDR». Другими словами, первые DDR2 будут работать на частотах, являющихся пределом для текущего поколения памяти DDR-400 (стандарт PC3200, тактовая частота 200 МГц), а ее дальнейшие варианты существенно его превзойдут. Первым поколением памяти DDR2, уже производимым в настоящее время такими вендорами, как , и , являются ее разновидности DDR2-400 и DDR2-533, работающие на частотах 200 МГц и 266 МГц, соответственно. Далее ожидается появление нового поколения модулей DDR2-667 и DDR2-800, хотя отмечается, что они вообще вряд ли появятся и, тем более, получат широкое распространение даже к концу этого года.

Справедливости ради стоит заметить, что память типа DDR2, как таковая, появилась уже довольно давно — конечно же, имеется в виду память на видеокартах. Тем не менее, эта разновидность DDR2 (называемая GDDR2), на самом деле, является особым типом памяти, разработанным специально для рынка видеокарт и слегка отличающимся от «десктопного» варианта DDR2, которому и посвящен настоящий обзор. Общая информация

Итак, «десктопная» DDR2-SDRAM рассматривается как эволюционная замена текущего поколения памяти — DDR. Принцип ее функционирования абсолютно тот же — передача данных (на уровне модуля памяти) осуществляется по 64-разрядной шине по обеим частям синхросигнала (восходящему — «фронту», и нисходящему — «срезу»), что обеспечивает удвоенную эффективную скорость передачи данных по отношению к ее частоте. Разумеется, при этом в DDR2 реализован ряд нововведений, которые позволяют осуществить скачок к гораздо более высоким частотам (а, следовательно, большей пропускной способности) и большим емкостям массивов микросхем, с одной стороны, и уменьшенному энергопотреблению модулей, - с другой. За счет чего это достигается, мы увидим позже, а пока обратимся к «макроскопическим» фактам. Модули памяти типа DDR2 производятся в новом форм-факторе, в виде 240-контактных модулей DIMM, электрически не совместимых со слотами для модулей памяти типа DDR (по количеству выводов, расстоянию между выводами и цоколевке модулей). Таким образом, стандарт DDR2 не предусматривает обратной совместимости с DDR.

В представленной ниже таблице приведены утвержденные соглашения о наименованиях и спецификации первых трех стандартов DDR2. Легко заметить, что DDR2-400 характеризуется такой же пропускной способностью, как и ныне существующий тип памяти DDR-400.

Первые модули памяти DDR2 будут поставляться в вариантах 256 МБ, 512 МБ и 1 ГБ. Тем не менее, стандарт предусматривает возможность построения модулей существенно большей емкости — вплоть до 4 ГБ, которые, однако, являются специализированными модулями (не совместимыми с десктопными вариантами, по крайней мере, на данный момент). В дальнейшем ожидается появление модулей, обладающих еще большей емкостью.

Чипы DDR2 будут изготавливаться с использованием упаковки типа FBGA (Fine Ball Grid Array), более компактной, чем традиционный вариант TSOP-II, позволяющей достичь больших емкостей микросхем при меньшем размере и улучшенных электрических и термических характеристиках. Такой метод упаковки уже используется некоторыми производителями DDR в качестве варианта, но является рекомендованным к использованию с точки зрения стандарта JEDEC.

Потребляемое модулями DDR2 напряжение, согласно стандарту — 1.8 V, что значительно меньше по сравнению с напряжением питания устройств DDR (2.5 V). Вполне ожидаемым (хотя и не столь очевидным) следствием этого факта является уменьшение энергопотребления, что важно для производителей, как ноутбуков, так и крупных рабочих станций и серверов, где проблема рассеиваемой модулями памяти мощности занимает далеко не последнее место. DDR2 изнутри

Стандарт DDR2 включает в себя несколько важных изменений спецификации DDR, связанных с передачей данных, которые позволяют достигать более высоких частот при более низкой потребляемой мощности. Как именно достигается снижение рассеиваемой мощности при одновременном увеличении скорости модулей, мы рассмотрим прямо сейчас.

Выборка данных

Главным изменением в DDR2 является возможность выборки сразу 4 бит данных за такт (4n-prefetch), в противоположность 2-битной выборке (2n-prefetch), реализованной в DDR. По существу, это означает, что на каждом такте шины памяти DDR2 осуществляет пересылку 4 бит информации из логических (внутренних) банков микросхемы памяти в буферы ввода-вывода по одной линии интерфейса данных, тогда как обычная DDR способна переслать лишь 2 бита за такт на линию. Довольно закономерно возникает вопрос — если это так, то почему же тогда эффективная пропускная способность DDR2-400 оказывается такой же, как и у обычной DDR-400 (3.2 ГБ/с), а не удвоенной?

Для ответа на этот вопрос сначала рассмотрим, как работает обычная память типа DDR-400. В этом случае, как ядро памяти, так и буферы ввода-вывода функционируют на частоте 200 МГц, а «эффективная» частота внешней шины данных, благодаря технологии DDR, равна 400 МГц. По правилу 2n-prefetch, на каждом такте памяти (200 МГц) по каждой линии интерфейса данных в буфер ввода-вывода поступает 2 бита информации. Задачей этого буфера является мультиплексирование/демультиплексирование (MUX/DEMUX) потока данных — по-простому, «перегонка» узкого высокоскоростного потока в широкий низкоскоростной, и наоборот. Поскольку в микросхеме памяти типа DDR SDRAM логические банки имеют ширину шины данных, соединяющую их и усилитель уровня, в два раза шире, чем от защелок на чтение до внешнего интерфейса, буфер данных включает в себя мультиплексор типа 2-1. В общем случае, поскольку микросхемы памяти, в отличие от модулей, могут иметь разную ширину шины данных — обычно это x4/x8/x16/x32, применение такой схемы MUX/DEMUX (2-1), реализованной в DDR, означает, что внутренний поток данных шириной X и частотой передачи Y от массива преобразуется во внешний поток шириной X/2 и частотой 2Y. Это называется балансом по пиковой пропускной способности.

Рассмотрим теперь схему функционирования устройства микросхемы памяти типа DDR2 SDRAM, равночастотной и «равноширокой» (т.е. одинаковой ширины шины данных) относительно микросхемы DDR модуля памяти DDR-400. Прежде всего, отметим, что ширина внешней шины данных осталась абсолютно такой же — 1 бит/линию, как и ее эффективная частота (в рассматриваемом примере — 400 МГц). Собственно, этого уже достаточно для ответа на поставленный выше вопрос — почему теоретическая ПСП равночастотных модулей памяти типа DDR2 и DDR равны между собой. Далее, очевидно, что использование мультиплексора типа 2-1, применяемого в DDR SDRAM, в случае DDR2 SDRAM, осуществляющей выборку данных по правилу 4n-prefetch, уже не подходит. Вместо этого требуется введение более сложной схемы с дополнительной ступенью преобразования — мультиплексора типа 4-1. Это означает, что выход ядра стал шире в четыре раза внешнего интерфейса микросхемы и во столько же раз ниже по частоте функционирования. То есть, по аналогии с рассмотренным выше примером, в общем случае схема MUX/DEMUX 4-1 осуществляет преобразование внутреннего потока данных шириной X и частотой передачи Y от массива во внешний поток шириной X/4 и частотой 4Y.

Поскольку в этом случае ядро микросхем памяти синхронизируется на частоте, вдвое меньшей по отношению к внешней (100 МГц), тогда как в DDR синхронизация внутреннего и внешнего потока данных происходят на одной частоте (200 МГц), среди преимуществ такого подхода отмечается увеличение процента выхода годных чипов и снижение энергопотребления модулей. Кстати, это также позволяет объяснить, почему стандарт DDR2 предполагает существование модулей памяти с «эффективной» частотой 800 МГц — что вдвое выше, чем у текущего поколения памяти типа DDR. Ведь именно такой «эффективной» частоты DDR2 можно достичь уже сейчас, имея чипы памяти DDR-400, работающие на собственной частоте 200 МГц, если осуществлять выборку данных по правилу 4n-prefetch по схеме, рассмотренной выше.

Таким образом, DDR2 означает отказ от экстенсивного пути развития чипов памяти — в смысле, простого дальнейшего увеличения их частоты, которое существенно затрудняет производство стабильно работающих модулей памяти в большом количестве. На смену ему выдвигается интенсивный путь развития, связанный с расширением внутренней шины данных (что является обязательным и неизбежным решением при использовании более сложного мультиплексирования). Рискнем предположить, что в будущем вполне можно ожидать появление памяти типа «DDR4», осуществляющей выборку уже не 4-х, а сразу 8 бит данных из чипов памяти (по правилу 8n-prefetch, с использованием мультиплексора типа 8-1), и работающих на частоте уже не в 2, а в 4 раза меньшей по отношению к частоте буфера ввода-вывода:). Собственно, ничего нового в таком подходе нет — подобное уже встречалось в микросхемах памяти типа Rambus DRAM . Тем не менее, нетрудно догадаться, что оборотной стороной такого пути развития является усложнение устройства MUX/DEMUX буфера ввода-вывода, который в случае DDR2 должен осуществлять сериализацию четырех бит данных, считываемых параллельно. Прежде всего, это должно сказаться на такой немаловажной характеристике памяти, как ее латентность, что мы и рассмотрим ниже.

Внутричиповое терминирование

Стандарт DDR2 включает в себя и ряд других усовершенствований, улучшающих различные характеристики нового типа памяти, в том числе — электрические. Одним из таких новшеств является внутричиповое терминирование сигнала. Суть его заключается в том, что для устранения излишнего электрического шума (вследствие отражения сигнала от конца линии) на шине памяти для нагрузки линии используются резисторы не на материнской плате (как это было с предыдущими поколениями памяти), а внутри самих чипов. Эти резисторы деактивируются, когда чип находится в работе и, наоборот, активируются, как только микросхема входит в состояние ожидания. Поскольку гашение сигнала теперь осуществляется намного ближе к его источнику, это позволяет устранить электрические помехи внутри чипа памяти при передаче данных.

Кстати, в связи с технологией внутричипового терминирования нельзя не остановиться на таком моменте, как… тепловыделение модуля, на активное снижение которого, в общем-то, в первую очередь и рассчитан новый стандарт DDR2. Действительно, такая схема терминирования сигналов приводит к возникновению значительных статических токов внутри чипов памяти, что ведет к их разогреву. Что ж, это действительно так, хотя заметим, что мощность, потребляемая подсистемой памяти в целом , от этого вовсе не должна расти (просто тепло теперь рассеивается в другом месте). Проблема здесь немного в другом — а именно, в возможности повышения частоты функционирования таких устройств. Весьма вероятно, что именно поэтому первым поколением памяти DDR2 являются модули вовсе не DDR2-800, а лишь DDR2-400 и DDR2-533, для которых тепловыделение внутри чипов пока что остается на приемлемом уровне.

Добавочная задержка

Добавочная задержка (также известная как «отложенная выдача CAS») — еще одно усовершенствование, введенное в стандарт DDR2, которое призвано минимизировать простои планировщика команд при передаче данных из памяти/в память. Чтобы проиллюстрировать это (на примере чтения), рассмотрим для начала чтение данных с чередованием банков (Bank Interleave) из устройства типа DDR2 с добавочной задержкой, равной нулю, что эквивалентно чтению из обычной памяти типа DDR.

На первом этапе происходит открывание банка с помощью команды ACTIVATE вместе с подачей первой составляющей адреса (адреса строки), которая выбирает и активирует необходимый банк и строку в его массиве. В течение следующего цикла информация передается на внутреннюю шину данных и направляется на усилитель уровня. Когда усиленный уровень сигнала достигает необходимого значения (по истечении времени, именуемого задержкой между определением адреса строки и столбца, t RCD (RAS-to-CAS Delay) на исполнение может подаваться команда чтения с автоподзарядкой (READ with Auto-Precharge, RD_AP) совместно с адресом столбца, чтобы выбрать точный адрес данных, которые надо считать с усилителя уровня. После выставления команды чтения выполняется задержка строба выбора столбца — t CL (задержка сигнала CAS, CAS Latency), в течение которой данные, выбранные из усилителя уровня, синхронизируются и передаются на внешние выводы микросхемы. При этом может возникнуть ситуация, когда следующая команда (ACTIVATE) не может быть отправлена на исполнение, поскольку в данный момент времени еще не закончилось исполнение других команд. Так, в рассматриваемом примере, активация 2-го банка должна быть отложена на один такт, поскольку в этот момент уже исполняется команда чтения с автоподзарядкой (RD_AP) из банка 0. В конечном счете, это приводит к разрыву в последовательности выдачи данных по внешней шине, что снижает реальную пропускную способность памяти.

Для устранения подобной ситуации и увеличения эффективности работы планировщика команд в DDR2 вводится понятие добавочной (дополнительной) задержки, t AL . При ненулевом значении t AL устройство памяти отслеживает команды READ (RD_AP) и WRITE (WR_AP), но откладывает их исполнение на время, равное величине добавочной задержки. Различия в поведении микросхемы памяти типа DDR2 с двумя различными величинами t AL приведены на рисунке.

Верхний рисунок описывает режим функционирования микросхемы DDR2 при t AL = 0, что эквивалентно функционированию устройства микросхемы памяти типа DDR; нижний соответствует случаю t AL = t RCD - 1, стандартному для DDR2. При такой конфигурации, как видно из рисунка, команды ACTIVATE и READ могут поступать на исполнение одна за другой. Фактическая реализация команды READ будет отложена на величину добавочной задержки, т.е. реально она будет исполнена в тот же момент, как и на диаграмме сверху.

На следующем рисунке приведен пример считывания данных из микросхемы DDR2 в предположении t RCD = 4 такта, что соответствует t AL = 3 тактам. В этом случае, благодаря введению дополнительной задержки, команды ACTIVATE/RD_AP могут исполняться подряд, в свою очередь, позволяя выдавать данные непрерывным образом и максимизировать реальную пропускную способность памяти.

Задержка выдачи CAS

Как мы видели выше, DDR2, с точки зрения частоты внешней шины, работает на более высоких скоростях, чем DDR SDRAM. В то же время, поскольку новый стандарт не предполагает каких-либо существенных изменений в технологии производства самих чипов, статические задержки на уровне устройства DRAM должны оставаться более-менее постоянными. Типичная величина собственной задержки устройств DRAM типа DDR — 15 нс. Для DDR-266 (со временем цикла 7.5 нс.) это эквивалентно двум тактам, а для DDR2-533 (время цикла — 3.75 нс.) — четырем.

По мере дальнейшего увеличения частот памяти необходимо множить количество поддерживаемых значений задержки выдачи сигнала CAS (в сторону бо льших значений). Определенные стандартом DDR2 величины задержек CAS представлены в таблице. Они находятся в интервале целых чисел от 3 до 5 тактов; использование дробных задержек (кратных 0.5) в новом стандарте не допускается.

Задержки устройства DRAM выражаются размерностью цикла (t CK), т.е. равны произведению времени цикла на выбранное значение задержки CAS (t CL). Типичные значения задержек для устройств типа DDR2 попадают в интервал 12-20 нс., на основании которого и выбирается используемое значение задержки CAS. Использование бо льших величин задержки нецелесообразно из соображений производительности подсистемы памяти, а меньших — ввиду необходимости стабильной работы устройства памяти.

Задержка записи

Стандарт DDR2 также вносит изменения в спецификацию задержки записи (команды WRITE). Различия в поведении команды записи в устройствах DDR и DDR2 представлены на рисунке.

DDR SDRAM имеет задержку записи, равную 1 такту. Это означает, что устройство DRAM приступает к «захвату» информации по шине данных в среднем через один такт после поступления команды WRITE. Тем не менее, учитывая возросшую скорость устройств DDR2, этот промежуток времени оказывается слишком малым для того, чтобы устройство DRAM (а именно, его буфер ввода-вывода) могло успешно подготовиться к «захвату» данных. В связи с этим, стандарт DDR2 определяет задержку записи как задержку выдачи CAS за вычетом 1 такта (t WL = t CL - 1). Отмечается, что привязка задержки WRITE к задержке CAS не только позволяет достичь более высоких частот, но и упрощает синхронизацию команд чтения и записи (настройку таймингов Read-to-Write).

Восстановление после записи

Процедура записи в память типа SDRAM аналогична операции чтения с разницей в дополнительном интервале t WR , характеризующем период восстановления интерфейса после проведения операции (обычно это двухтактная задержка между окончанием выдачи данных на шину и инициированием нового цикла). Этот временной интервал, измеряемый от момента окончания операции записи до момента вхождения в стадию регенерации (Auto Precharge), обеспечивает восстановление интерфейса после проведения операции записи и гарантирует корректность ее выполнения. Отметим, что стандарт DDR2 не вносит изменений в спецификацию периода восстановления после записи.

Таким образом, задержки устройств типа DDR2 в целом можно считать одной из немногих характеристик, по которой новый стандарт проигрывает спецификации DDR. В связи с чем совершенно очевидно, что использование равночастотной DDR2 вряд ли будет иметь какие-либо преимущества в плане скорости по отношению к DDR. Как это обстоит на самом деле — как всегда, покажут результаты соответствующих тестов. Результаты тестирования в RightMark Memory Analyzer

Что ж, самое время теперь перейти к результатам тестирования, полученным в тестовом пакете версии 3.1. Напомним, что главными преимуществами этого теста по отношению к другим доступным тестам памяти является широкая функциональность, открытость методики (тест доступен всем желающим для ознакомления в виде ) и тщательно проработанная документация .

Конфигурации тестовых стендов и ПО

Тестовый стенд №1

• Процессор: Intel Pentium 4 3.4 ГГц (ядро Prescott, Socket 478, FSB 800/HT, 1 МБ L2) на частоте 2.8 ГГц
• Материнская плата: ASUS P4C800 Deluxe на чипсете Intel 875P
• Память: 2x512 МБ PC3200 DDR SDRAM DIMM TwinMOS (тайминги 2.5-3-3-6)

Тестовый стенд №2

• Процессор: Intel Pentium 4 3.4 ГГц (ядро Prescott, Socket 775, FSB 800/HT, 1 МБ L2) на частоте 2.8 ГГц
• Материнская плата: Intel D915PCY на чипсете Intel 915
• Память: 2x512 МБ PC2-4300 DDR2 SDRAM DIMM Samsung (тайминги 4-4-4-8)

Программное обеспечение

• Windows XP Professional SP1
• Intel Chipset Installation Utility 5.0.2.1003

Максимальная реальная пропускная способность памяти

Измерение максимальной реальной пропускной способности памяти проводилось с помощью подтеста Memory Bandwidth , пресеты Maximal RAM Bandwidth, Software Prefetch, MMX/SSE/SSE2 . Как говорит само название выбранных пресетов, в этой серии измерений используется стандартный метод оптимизации операций чтения из памяти — Software Prefetch, суть которого заключается в предварительной выборке данных, которые будут востребованы позже из оперативной памяти в L2 кэш процессора. Для оптимизации записи в память используется метод прямого сохранения данных (Non-Temporal Store), позволяющий избежать «засорения» кэша. Результаты с использованием регистров MMX, SSE и SSE2 оказались практически идентичными — для примера, ниже приведена картина, полученная на платформе Prescott/DDR2 с использованием SSE2.

Prescott/DDR2, максимальная реальная ПСП

Отметим, что существенных качественных отличий между DDR и DDR2 на равночастотных Prescott в этом тесте не наблюдается. Но более интересно то, что и количественные характеристики ПСП DDR-400 и DDR2-533 оказываются весьма близки! (см. таблицу). И это — несмотря на то, что память типа DDR2-533 имеет максимальную теоретическую ПСП 8.6 ГБ/с (в двухканальном режиме). Собственно, ничего удивительного в полученном результате мы не видим — ведь шина процессора — это по-прежнему 800 МГц Quad-Pumped Bus, а ее пропускная способность — 6.4 ГБ/с, поэтому именно она и является лимитирующим фактором.

Что касается эффективности операций записи, по отношению к чтению — легко увидеть, что она осталась такой же. Впрочем, это вновь выглядит вполне естественно, поскольку в данном случае предел ПСП на запись (2/3 от ПСП на чтение) явно задается микроархитектурными особенностями процессора Prescott.

Латентность памяти

Прежде всего, остановимся несколько подробнее на том, как и почему мы измеряли «истинную» латентность памяти, поскольку ее измерение на платформах Pentium 4 — на самом деле, далеко нетривиальная задача. А связано это с тем, что процессоры этого семейства, в частности, новое ядро Prescott, характеризуются наличием довольно «продвинутого» асинхронного аппаратного префетчера данных, весьма затрудняющего объективные измерения указанной характеристики подсистемы памяти. Очевидно, что использование методов последовательного обхода памяти (прямого либо обратного) для измерения ее латентности в данном случае совершенно не годятся — алгоритм Hardware Prefetch в этом случае работает с максимальной эффективностью, «маскируя» латентности. Использование случайных режимов обхода гораздо более оправдано, однако, истинно случайный обход памяти имеет другой существенный недостаток. Дело в том, что такое измерение выполняется в условиях практически 100% промаха D-TLB, а это вносит существенные дополнительные задержки, о чем мы уже писали . Поэтому единственным возможным вариантом (среди реализованных в RMMA методов) является псевдослучайный режим обхода памяти, при котором загрузка каждой последующей страницы осуществляется линейно (сводя на нет промахи D-TLB), тогда как обход в пределах самой страницы памяти является истинно случайным.

Тем не менее, результаты наших прошлых измерений показали, что даже такая методика измерений довольно сильно занижает значения латентности. Мы считаем, что это связано с еще одной особенностью процессоров Pentium 4, а именно, возможностью «захвата» сразу двух 64-байтных строк из памяти в L2-кэш при каждом обращении к ней. Для демонстрации этого явления на представленном ниже рисунке приведены кривые зависимости латентности двух последовательных обращений к одной и той же строке памяти от смещения второго элемента строки относительно первого, полученные на платформе Prescott/DDR2 с помощью теста D-Cache Arrival , пресет L2 D-Cache Line Size Determination .

Prescott/DDR2, прибытие данных по шине L2-RAM

Из них видно (кривая случайного обхода является наиболее показательной), что доступ ко второму элементу строки не сопровождается какими-либо дополнительными задержками до 60 байт включительно (что отвечает истинному размеру строки L2-кэша, 64 байта). Область 64-124 байт соответствует чтению данных из следующей строки памяти. Поскольку величины латентности в этой области увеличиваются лишь незначительно, это означает, что последующая строка памяти действительно «подкачивается» в L2-кэш процессора сразу вслед за запрашиваемой. Какой же можно сделать из всего этого практический вывод? Самый прямой: для того, чтобы «обмануть» эту особенность алгоритма Hardware Prefetch, работающую во всех случаях обхода памяти, достаточно просто обходить цепочку с шагом, равным так называемой «эффективной» длине строки L2-кэша, которая в нашем случае составляет 128 байт.

Итак, перейдем непосредственно к результатам измерений латентности. Для наглядности, приведем здесь графики разгрузки шины L2-RAM, полученные на платформе Prescott/DDR2.

Prescott/DDR2, латентность памяти, длина строки 64 байта

Prescott/DDR2, латентность памяти, длина строки 128 байт

Как и в случае тестов реальной ПСП, кривые латентности на другой платформе — Prescott/DDR — на качественном уровне выглядят абсолютно так же. Несколько отличаются лишь количественные характеристики. Самое время обратиться к ним.

* латентность в условиях отсутствия разгрузки шины L2-RAM

Нетрудно заметить, что латентность DDR2-533 оказалась выше, чем у DDR-400. Впрочем, ничего сверхъестественного здесь нет — согласно представленным выше теоретическим основам нового стандарта памяти DDR2, именно так оно и должно быть.

Различие в латентности между DDR и DDR2 почти незаметно при стандартном 64-байтном обходе памяти (3 нс. в пользу DDR), когда активно работает аппаратный префетчер, однако, при «двухстрочном» (128-байтном) обходе цепочки оно становится гораздо более заметным. А именно, минимум латентности DDR2 (55.0 нс) равен максимуму латентности DDR; если же сравнивать минимальные и максимальные латентности между собой, различие составляет примерно 7-9 нс (15-16%) в пользу DDR. В то же время, надо сказать, несколько удивляют практически равные значения «средней» латентности, полученные в условиях отсутствия разгрузки шины L2-RAM — причем как в случае 64-байтного обхода (с префетчем данных), так и 128-байтного (без такового). Заключение

Главный вывод, который напрашивается на основании полученных нами результатов первого сравнительного тестирования памяти DDR и DDR2, в общем виде можно сформулировать так: «время DDR2 еще не настало». Основная причина заключается в том, что пока бессмысленно бороться за увеличение теоретической ПСП путем наращивания частоты внешней шины памяти. Ведь шина текущего поколения процессоров по-прежнему функционирует на частоте 800 МГц, что ограничивает реальную пропускную способность подсистемы памяти на уровне 6.4 ГБ/с. А это значит, что в настоящее время нет смысла устанавливать модули памяти, обладающие большей теоретической ПСП, поскольку ныне существующая и широко применяемая память типа DDR-400 в двухканальном режиме полностью себя оправдывает, да и вдобавок имеет меньшую латентность. Кстати, о последней — увеличение частоты внешней шины памяти неизбежно связано с необходимостью введения дополнительных задержек, что, собственно, и подтверждают результаты наших тестов. Таким образом, можно считать, что использование DDR2 оправдает себя, как минимум, не ранее того момента, когда появятся первые процессоры с частотой шины 1066 МГц и выше, что позволит преодолеть ограничение, накладываемое скоростью шины процессора на реальную пропускную способность подсистемы памяти в целом.

Теперь, узнав что это такое и для чего и как оно служит, многие из Вас наверно подумываете о том, чтобы приобрести для своего компьютера более мощную и производительную оперативку. Ведь увеличение производительности компьютера с помощью дополнительного объёма памяти ОЗУ является самым простым и дешевым (в отличии например от видеокарты) методом модернизации вашего любимца.

И… Вот вы стоите у витрины с упаковками оперативок. Их много и все они разные. Встают вопросы: А какую оперативную память выбрать? Как правильно выбрать ОЗУ и не прогадать? А вдруг я куплю оперативку, а она потом не будет работать? Это вполне резонные вопросы. В этой статье я попробую ответить на все эти вопросы. Как вы уже поняли, эта статья займет свое достойное место в цикле статей, в которых я писал о том, как правильно выбирать отдельные компоненты компьютера т.е. железо. Если вы не забыли, туда входили статьи:
—
—
—
Этот цикл будет и дальше продолжен, и в конце вы сможете уже собрать для себя совершенный во всех смыслах супер компьютер 🙂 (если конечно финансы позволят:))
А пока учимся правильно выбирать для компьютера оперативную память .
Поехали!

Оперативная память и её основные характеристики.

При выборе оперативной памяти для своего компьютера нужно обязательно отталкиваться от вашей материнской платы и процессора потому что модули оперативки устанавливаются на материнку и она же поддерживает определенные типы оперативной памяти. Таким образом получается взаимосвязь между материнской платой, процессором и оперативной памятью.

Узнать о том, какую оперативную память поддерживает ваша материнка и процессор можно на сайте производителя, где необходимо найти модель своей материнской платы, а также узнать какие процессоры и оперативную память для них она поддерживает. Если этого не сделать, то получится, что вы купили супер современную оперативку, а она не совместима с вашей материнской платой и будет пылиться где нибудь у вас в шкафу. Теперь давайте перейдем непосредственно к основным техническим характеристикам ОЗУ, которые будут служить своеобразными критериями при выборе оперативной памяти. К ним относятся:

Вот я перечислил основные характеристики ОЗУ, на которые стоит обращать внимание в первую очередь при её покупке. Теперь раскроем каждый из ни по очереди.

Тип оперативной памяти.

На сегодняшний день в мире наиболее предпочтительным типом памяти являются модули памяти DDR (double data rate). Они различаются по времени выпуска и конечно же техническими параметрами.

• DDR или DDR SDRAM (в переводе с англ. Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory — синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных). Модули данного типа имеют на планке 184 контакта, питаются напряжением в 2,5 В и имеют тактовую частоту работы до 400 мегагерц. Данный тип оперативной памяти уже морально устарел и используется только в стареньких материнских платах.
• DDR2 — широко распространенный на данное время тип памяти. Имеет на печатной плате 240 контактов (по 120 на каждой стороне). Потребление в отличие от DDR1 снижено до 1,8 В. Тактовая частота колеблется от 400 МГц до 800 МГц.
• DDR3 — лидер по производительности на момент написания данной статьи. Распространен не менее чем DDR2 и потребляет напряжение на 30-40% меньше в отличии от своего предшественника (1,5 В). Имеет тактовую частоту до 1800 МГц.
• DDR4 — новый, супер современный тип оперативной памяти, опережающий своих собратьев как по производительности (тактовой частоте) так и потреблением напряжения (а значит отличающийся меньшим тепловыделением). Анонсируется поддержка частот от 2133 до 4266 Мгц. На данный момент в массовое производство данные модули ещё не поступили (обещают выпустить в массовое производство в середине 2012 года). Официально, модули четвертого поколения, работающие в режиме DDR4-2133 при напряжении 1,2 В были представлены на выставке CES, компанией Samsung 04 января 2011 года.

Объём оперативной памяти.

Про объём памяти много писать не буду. Скажу лишь, что именно в этом случае размер имеет значение 🙂
Все несколько лет назад оперативная память объёмом в 256-512 МБ удовлетворяла все нужды даже крутых геймерских компьютеров. В настоящее же время для нормального функционирования отдельно лишь операционной системы windows 7 требуется 1 Гб памяти, не говоря уже о приложениях и играх. Лишней оперативка никогда не будет, но скажу Вам по секрету, что 32-х разрядная windows использует лишь 3,25 Гб ОЗУ, если даже вы установите все 8 Гб ОЗУ. Подробнее об этом вы можете прочитать .

Габариты планок или так называемый Форм — фактор.

Form — factor — это стандартные размеры модулей оперативки, тип конструкции самих планок ОЗУ.
DIMM (Dual InLine Memory Module — двухсторонний тип модулей с контактами на обоих сторонах) — в основном предназначены для настольных стационарных компьютеров, а SO-DIMM используются в ноутбуках.

Тактовая частота.

Это довольно таки важный технический параметр оперативной памяти. Но тактовая частота есть и у материнской платы и важно знать рабочую частоту шины этой платы, так как если вы купили например модуль ОЗУ DDR3-1800 , а слот (разъём) материнской платы поддерживает максимальную тактовую частоту DDR3-1600 , то и модуль оперативной памяти в результате будет работать на тактовой частоте в 1600 МГц . При этом возможны всяческие сбои, ошибки в работе системы и .

Примечание: Частота шины памяти и частота процессора — совершенно разные понятия.

Из приведенных таблиц можно понять, что частота шины, умноженная на 2, дает эффективную частоту памяти (указанную в графе «чип»), т.е. выдает нам скорость передачи данных. Об этом же нам говорит и название DDR (Double Data Rate) — что означает удвоенная скорость передачи данных.
Приведу для наглядности пример расшифровки в названии модуля оперативной памяти — Kingston/PC2-9600/DDR3(DIMM)/2Gb/1200MHz , где:
— Kingston — производитель;
— PC2-9600 — название модуля и его пропускная способность;
— DDR3(DIMM) — тип памяти (форм фактор в котором выполнен модуль);
— 2Gb — объем модуля;
— 1200MHz — эффективная частота, 1200 МГц.

Пропускная способность.

Пропускная способность — характеристика памяти, от которой зависит производительность системы. Выражается она как произведение частоты системной шины на объём данных передаваемых за один такт. Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности RAM , в нем учитывается частота передачи данных , разрядность шины и количество каналов памяти. Частота указывает потенциал шины памяти за такт – при большей частоте можно передать больше данных.
Пиковый показатель вычисляется по формуле: B = f * c , где:
В — пропускная способность, f — частота передачи, с — разрядность шины. Если Вы используете два канала для передачи данных, все полученное умножаем на 2. Чтобы получить цифру в байтах/c, Вам необходимо полученный результат поделить на 8 (т.к. в 1 байте 8 бит).
Для лучшей производительности пропускная способность шины оперативной памяти и пропускная способность шины процессора должны совпадать. К примеру, для процессора Intel core 2 duo E6850 с системной шиной 1333 MHz и пропускной способностью 10600 Mb/s , можно установить два модуля с пропускной способностью 5300 Mb/s каждый (PC2-5300 ), в сумме они будут иметь пропускную способность системной шины (FSB ) равную 10600 Mb/s .
Частоту шины и пропускную способность обозначают следующим образом: «DDR2-XXXX » и «PC2-YYYY «. Здесь «XXXX » обозначает эффективную частоту памяти, а «YYYY » пиковую пропускную способность.

Тайминги (латентность).

Тайминги (или латентность) — это временные задержки сигнала, которые, в технической характеристике ОЗУ записываются в виде «2-2-2 » или «3-3-3 » и т.д. Каждая цифра здесь выражает параметр. По порядку это всегда «CAS Latency » (время рабочего цикла), «RAS to CAS Delay » (время полного доступа) и «RAS Precharge Time » (время предварительного заряда).

Примечание

Чтобы вы могли лучше усвоить понятие тайминги, представьте себе книгу, она будет у нас оперативной памятью, к которой мы обращаемся. Информация (данные) в книге (оперативной памяти) распределены по главам, а главы состоят из страниц, которые в свою очередь содержат таблицы с ячейками (как например в таблицах Excel). Каждая ячейка с данными на странице имеет свои координаты по вертикали (столбцы) и горизонтали (строки). Для выбора строки используется сигнал RAS (Raw Address Strobe) , а для считывания слова (данных) из выбранной строки (т.е. для выбора столбца) — сигнал CAS (Column Address Strobe) . Полный цикл считывания начинается с открытия «страницы» и заканчивается её закрытием и перезарядкой, т.к. иначе ячейки разрядятся и данные пропадут.Вот так выглядит алгоритм считывания данных из памяти:

1. выбранная «страница» активируется подачей сигнала RAS ;
2. данные из выбранной строки на странице передаются в усилитель, причем на передачу данных необходима задержка (она называется RAS-to-CAS );
3. подается сигнал CAS для выбора (столбца) слова из этой строки;
4. данные передаются на шину (откуда идут в контроллер памяти), при этом также происходит задержка (CAS Latency );
5. следующее слово идет уже без задержки, так как оно содержится в подготовленной строке;
6. после завершения обращения к строке происходит закрытие страницы, данные возвращаются в ячейки и страница перезаряжается (задержка называется RAS Precharge ).

Каждая цифра в обозначении указывает, на какое количество тактов шины будет задержан сигнал. Тайминги измеряются в нано-секундах. Цифры могут иметь значения от 2 до 9 . Но иногда к трем этим параметрам добавляется и четвертый (например: 2-3-3-8 ), называющийся «DRAM Cycle Time Tras/Trc ” (характеризует быстродействие всей микросхемы памяти в целом).
Случается, что иногда хитрый производитель указывает в характеристике оперативки лишь одно значение, например «CL2 » (CAS Latency ), первый тайминг равный двум тактам. Но первый параметр не обязательно должен быть равен всем таймингам, а может быть и меньше других, так что имейте это в виду и не попадайтесь на маркетинговый ход производителя.
Пример для наглядности влияния таймингов на производительность: система с памятью на частоте 100 МГц с таймингами 2-2-2 обладает примерно такой же производительностью, как та же система на частоте 112 МГц , но с задержками 3-3-3 . Другими словами, в зависимости от задержек, разница в производительности может достигать 10 % .
Итак, при выборе лучше покупать память с наименьшими таймингами, а если Вы хотите добавить модуль к уже установленному, то тайминги у покупаемой памяти должны совпадать с таймингами установленной памяти.

Режимы работы памяти.

Оперативная память может работать в нескольких режимах, если конечно такие режимы поддерживаются материнской платой. Это одноканальный , двухканальный , трехканальный и даже четырехканальный режимы. Поэтому при выборе оперативной памяти стоит обратить внимание и на этот параметр модулей.
Теоретически скорость работы подсистемы памяти при двухканальном режиме увеличивается в 2 раза, трехканальном – в 3 раза соответственно и т.д., но на практике при двухканальном режиме прирост производительности в отличии от одноканального составляет 10-70%.
Рассмотрим подробнее типы режимов:

• Single chanell mode (одноканальный или асимметричный) – этот режим включается, когда в системе установлен только один модуль памяти или все модули отличаются друг от друга по объему памяти, частоте работы или производителю. Здесь неважно, в какие разъемы и какую память устанавливать. Вся память будет работать со скоростью самой медленной из установленной памяти.
• Dual Mode (двухканальный или симметричный) – в каждом канале устанавливается одинаковый объем оперативной памяти (и теоретически происходит удвоение максимальной скорости передачи данных). В двухканальном режиме модули памяти работают попарно 1-ый с 3-им и 2-ой с 4-ым.
• Triple Mode (трехканальный) – в каждом из трех каналов устанавливается одинаковый объем оперативной памяти. Модули подбираются по скорости и объему. Для включения этого режима модули должны быть установлены в 1, 3 и 5/или 2, 4 и 6 слоты. На практике, кстати говоря, такой режим не всегда оказывается производительнее двухканального, а иногда даже и проигрывает ему в скорости передачи данных.
• Flex Mode (гибкий) – позволяет увеличить производительность оперативной памяти при установке двух модулей различного объема, но одинаковых по частоте работы. Как и в двухканальном режиме платы памяти устанавливаются в одноименные разъемы разных каналов.

Обычно наиболее распространенным вариантом является двухканальный режим памяти.
Для работы в многоканальных режимах существуют специальные наборы модулей памяти — так называемая Kit-память (Kit-набор) — в этот набор входит два (три) модуля, одного производителя, с одинаковой частотой, таймингами и типом памяти.
Внешний вид KIT-наборов:
для двухканального режима

для трехканального режима

Но самое главное, что такие модули тщательно подобраны и протестированы, самим производителем, для работы парами (тройками) в двух-(трёх-) канальных режимах и не предполагают никаких сюрпризов в работе и настройке.

Производитель модулей.

Сейчас на рынке ОЗУ хорошо себя зарекомендовали такие производители, как: Hynix , amsung , Corsair , Kingmax , Transcend , Kingston , OCZ …
У каждой фирмы к каждому продукту имеется свой маркировочный номер , по которому, если его правильно расшифровать, можно узнать для себя много полезной информации о продукте. Давайте для примера попробуем расшифровать маркировку модуля Kingston семейства ValueRAM (смотрите изображение):

Расшифровка:

• KVR – Kingston ValueRAM т.е. производитель
• 1066/1333 – рабочая/эффективная частота (Mhz)
• D3 — тип памяти (DDR3 )
• D (Dual) – rank/ранг . Двухранговый модуль – это два логических модуля, распаянных на одном физическом и пользующихся поочерёдно одним и тем же физическим каналом (нужен для достижения максимального объёма оперативной памяти при ограниченном количестве слотов)
• 4 – 4 чипа памяти DRAM
• R – Registered , указывает на стабильное функционирование без сбоев и ошибок в течение как можно большего непрерывного промежутка времени
• 7 – задержка сигнала (CAS=7 )
• S – термодатчик на модуле
• K2 – набор (кит) из двух модулей
• 4G – суммарный объем кита (обеих планок) равен 4 GB.

Приведу еще один пример маркировки CM2X1024-6400C5 :
Из маркировки видно, что это модуль DDR2 объемом 1024 Мбайт стандарта PC2-6400 и задержками CL=5 .
Марки OCZ , Kingston и Corsair рекомендуют для оверклокинга, т.е. имеют потенциал для разгона. Они будут с небольшими таймингами и запасом тактовой частоты, плюс ко всему они снабжены радиаторами, а некоторые даже кулерами для отвода тепла, т.к. при разгоне количество тепла значительно увеличивается. Цена на них естественно будет гораздо выше.
Советую не забывать про подделки (их на прилавках очень много) и покупать модули оперативной памяти только в серьезных магазинах, которые дадут Вам гарантию.

Напоследок:
На этом все. С помощью данной статьи, думаю, вы уже не ошибетесь при выборе оперативной памяти для своего компьютера. Теперь вы сможете правильно выбрать оперативку для системы и повысить её производительность без каких либо проблем. Ну, а тем кто купит оперативную память (или уже купил), я посвящу следующую статью, в которой я подробно опишу как правильно устанавливать оперативную память в систему. Не пропустите…

Лучшая оперативная память 2019

Corsair Dominator Platinum

Лучшая память среди одноклассников с высокой производительностью и инновациями в технологии RGB. Стандарт DDR4, скорость 3200MHz, дефолтные тайминги 16.18.18.36, два модуля по 16 гигабайт. У планок яркие светодиоды подсветки Capellix RGB, продвинутая программа iCUE теплоотводы Dominator DHX. Единственная проблема – может не подойти высота модуля.

Компания Corsair, как всегда, с каждой новой моделью превосходит саму себя, Dominator Platinum не стала исключением. Сегодня это излюбленный набор памяти DDR4 для геймеров и владельцев мощных рабочих станций. Внешний вид модулей гладкий и стильный импонирует любителям гейминга, DHX охлаждение работает эффективно, а производительность планок уже готова стать легендой. В любом случае, на долгие годы она обеспечит пользователя флагманскими параметрами. Сейчас у памяти новый дизайн, новая, более яркая подсветка Corsair Capellix на 12 светодиодов. Программное обеспечение (фирменное) iCUE обеспечивает гибкую настройку памяти на максимальную производительность. Если вы поменяли материнку или процессор, а может быть и графический ускоритель, под любой новый компонент память можно настроить как родную.

Ценник у памяти несколько выше, чем у других производителей, но это компенсируется высочайшим качеством и потрясающей производительностью.

Тестирование высокоскоростных модулей DDR2: а есть ли толк?

Когда большинство пользователей слышат слово "разгон" или оверклокинг, то они сразу же представляют увеличение тактовой частоты процессора. Но не менее важным фактором является частота FSB, которую можно легко увеличить без особых проблем, обеспечив прирост производительности, равный нескольким дополнительным МГц на CPU. Однако преимущества "разгона" компонентов не всегда очевидны, особенно в системах Pentium 4, где польза, к примеру, от скоростной памяти заметна не каждый раз.

В принципе, ничего принципиально нехорошего в использовании самой скоростной памяти нет. Максимально возможные частоты и связанные с ними задержки как раз и отличают элитные модули. В случае Athlon 64 это означает использование DIMM DDR400, которые поддерживают идеальные задержки CL2-2-2-5.

Современные системы P4 используют память DDR2 RAM. Она способна работать на более высоких частотах, чем обычная DDR, да и задержки постепенно улучшаются. Сегодня больше всего распространена память DDR2-533 (266 МГц), которую постепенно сменяют 333-МГц модули (DDR2-667). Более высокие частоты сегодня доступны только через "разгон", хотя производители чипсетов полностью погружены в совершенствование своей продукции.

Можно было бы предположить, что более высокий потенциал по "разгону" памяти DDR2 RAM перейдёт в соответствующий прирост производительности, но, к сожалению, в реальности ситуация иная. Система P4 с памятью DDR2-533 окажется лишь чуть быстрее, чем с DDR400. Да и переход на DDR2-667 даёт меньший эффект, чем можно было ожидать.

В то же время, всё большее число производителей, включая A-Data и Corsair, выпускают на рынок модули DDR2-667, которые могут работать с низкими задержками и высокими частотами. Мы получили модули от обоих производителей и установили их в "разогнанную" систему P4 - посмотреть, что случится на частотах DDR2-1066.

"Разгон" памяти всегда относителен

В системе Intel шина оперативной памяти всегда работает с каким-либо коэффициентом по отношению к частоте FSB. Большинство современных материнских плат дают определённую гибкость в этом отношении, позволяя выбирать более одного коэффициента. Северный мост чипсетов 945 и 955x предлагает четыре соотношения частоты: 1:1, 3:4, 3:5 и 2:1. Если взять за основу базовую частоту FSB 200 МГц (FSB800), то можно получить DDR2-400, DDR2-533, DDR2-667 и DDR2-800. Последний вариант возможен уже достаточно давно, но неофициально.

Если вы желаете "разогнать" систему без увеличения частоты памяти, то повышайте частоту FSB, одновременно переходя на меньший коэффициент. Конечно, при этом следует следить ещё и за тем, чтобы частота CPU не вышла за допустимые параметры, так как она зависит от частоты FSB. Например, 3,2-ГГц Pentium 4 640 получает указанную частоту на 200-МГц FSB через множитель 16. Если частота FSB достигнет 240 МГц, то CPU придётся работать на 3,84 ГГц. Очень немногие процессоры способны справиться с такой частотой.

Чтобы получить память DDR2-1066 без "разгона" системы, мы использовали коэффициент 1:1 (шина памяти к FSB), при этом увеличили частоту FSB до 266 МГц. В качестве процессора мы взяли 3,73-ГГц Pentium 4 Extreme Edition.

Мы выбрали 3,73-ГГц Pentium 4 Extreme Edition, поскольку он работает с частотой FSB 266 МГц (FSB1066). При соотношении частот шина памяти/FSB 1:1, память будет работать в режиме DDR2-1066.

Высокая частота или низкие задержки?

AData маркирует свои DIMM как DDR2-800, в то время как Corsair ограничивается 675 МГц. В любом случае, работают задержки CL3-2-2-8.

Мы решили протестировать как низкие, так и большие задержки памяти. Как показывает наш опыт с памятью DDR1, выбор часто следует делать именно в сторону низких задержек. Как раз по этой причине AMD отложила внедрение сокета M2 и памяти DDR2 до CeBIT 2006 - инженеры компании считают преимущества DDR2 на частоте 800 МГц слишком незначительными, чтобы менять систему сегодня.

В то же время, производители памяти движутся в разных направлениях. AData указывает, что её DDR2 DIMM способны работать на частоте 800 МГц. И надо сказать, что это заявление подтверждается на практике. Но для подобных частот необходимо увеличить задержки памяти. Corsair пошла другим путём: у топовых модулей памяти DDR2 указана максимальная частота 675 МГц, но при этом даны оптимальные задержки CL3-2-2-8. Это позволяет Corsair достичь более высокой производительности по сравнению с модулями DDR2-800.

Больше мощности, меньше время жизни

Так как ограничения техпроцесса не позволяют выпускать коммерчески выгодные 400-МГц чипы, для повышения тактовых частот необходимо поднимать напряжение питания. Модули DDR1 требуют по номиналу 2,5 В, поэтому оверклокеры "разгоняют" их до 3,0 В и выше. Но для DDR2 базовая частота составляет 1,8 В. В принципе, 2,0 В для модулей - не слишком высокая нагрузка, да и более высокие уровни напряжения тоже иногда выставляют. Эта тема сегодня горячо обсуждается на форумах.

Подъём входного напряжения увеличивает толерантность памяти, в результате чего она позволяет выставлять более высокие тактовые частоты и агрессивные задержки. Но за всё приходится платить: повышение напряжения снижает время жизни модулей памяти.

Хотя компания AData занимает сильное положение на рынке США, произошла она из Тайваня. Ассортимент продукции AData схож с другими производителями и включает многие типы памяти SDRAM и флэш.

На web-сайте компании можно обнаружить различные типы модулей DDR2, вплоть до DDR2-1066, которые AData питает от 1,95 В. Однако модули DIMM, высланные в нашу лабораторию, смогли достичь режима DDR2-1066 только при подъёме напряжения до 2,4 В. В отличие от многих других производителей, продукция AData направлена на экстремально высокие частоты, именно поэтому модули сертифицированы на задержку CAS в 5 тактов. Хотя меньшие задержки тоже могут работать, их AData не гарантирует.

Мы протестировали модули AData, причём каждый раз устанавливали задержки вручную. В классе DDR2-1066 самыми быстрыми оказались 1-Гбайт модули, поскольку они поддерживали задержки CL4-5-5-10. Режим DDR2-800 заработал с CL4-4-4-8, DDR2-709 - с CL4-3-3-8 и DDR2-533 - CL3-3-3-8.

Corsair гарантирует рабочую частоту модулей 675 МГц. Мы запустили модули в режиме DDR2-1066, однако его нельзя назвать полностью стабильным. В отличие от AData, Corsair выбрала минимальные задержки: CL3-2-2-8 для DDR2-667 - самые лучшие задержки, которые мы встречали. Кроме того, как показывают наши тесты, производительность при низких задержках оказывается часто выше, чем при увеличенной тактовой частоте (и больших задержках). Для обеспечения лучшей совместимости значения SPD-ROM установлены на CL4-4-4-12. То есть модули заработают на всех материнских платах. Если вы пожелаете установить большие задержки, то их следует ввести в CMOS самостоятельно.

Модули Corsair заработали и в режиме DDR2-800. Хотя производитель рекомендует напряжение 2,1 В для DDR2-667, где обеспечиваются задержки CL3-2-2-8, для DDR2-800 нам пришлось поднять напряжение до 2,2 В. Подняв напряжение до 2,3 В, мы смогли получить 533 МГц (DDR2-1066), но полученный уровень стабильности уже не улучшался при повышении напряжения. Следует подчеркнуть, что при частоте 333 МГц (DDR2-667) эти DIMM способны посостязаться с более высокочастотными конкурентами.

Мы выбрали модули Corsair DIMM для нашего проекта, главным образом, из-за низких задержек. Результаты Corsair в наших диаграммах помечены именем производителя, а все остальные результаты относятся к AData DIMM.

Впечатляющие задержки памяти Corsair.

Тесты и настройки

Заключение: преимущество высоких частот памяти невелико

Синтетические тесты дают хорошую разницу между разными частотами DDR2.

Но даже если частоты модулей DIMM AData и Corsair впечатляют, результаты производительности - не очень.

Как мы считаем, переход от DDR-533 на DDR2-667 имеет смысл только при сохранении низких задержек (Corsair). Переход на DDR2-800 даёт минимальный прирост производительности, а DDR2-1066, с ещё более высокими задержками, тоже не впечатляет. Причём, цена скоростных модулей совершенно не оправдывает прирост производительности, который они обеспечивают.

Для бизнес-приложений установка скоростных модулей DDR2 DIMM не оправдывает себя по ценовым причинам, и даже геймерам мы рекомендуем лучше потратить эти деньги на high-end графическую карту. В любом случае, мы рекомендуем покупать фирменные модули памяти, поскольку именитые производители уделяют больше внимания тестированию и сертификации своих продуктов.

Тут в очередной раз у меня спросили, как по внешнему виду можно определить тип оперативной памяти. Т.к. такой вопрос всплывает периодически, я решил, что лучше один раз показать, чем сто раз объяснять на пальцах, и написать иллюстрированный мини-обзорчик типов оперативной памяти для PC.

Не всем это интересно, по-этому прячу под кат. Читать

Самые распространённые типы оперативной памяти которые применялись и применяются в персональных компьютерах в обиходе называются SIMM, DIMM, DDR, DDR2, DDR3. SIMM и DIMM вы вряд ли уже встретите, а вот DDR, DDR2 или DDR3 сейчас установлены в большинстве персональных компьютеров. Итак, по порядку

SIMM

SIMM на 30 контактов. Применялись в персональных компьтерах с процессорами от 286 до 486. Сейчас уже является раритетом.SIMM на 72 контакта. Память такого типа была двух видов FPM (Fast Page Mode) и EDO (Extended Data Out).

Тип FPM использовался на компьютерах с процессорами 486 и в первых Pentium до 1995 года. Потом появился EDO. В отличие от своих предшественников, EDO начинает выборку следующего блока памяти в то же время, когда отправляет предыдущий блок центральному процессору.

Конструктивно они одинаковы, отличить можно только по маркировке. Персоналки, поддерживавшие EDO, могли работать и с FPM, а вот наоборот — далеко не всегда.

DIMM

Так называли тип памяти SDRAM (Synchronous DRAM). Начиная с 1996 года большинство чипсетов Intel стали поддерживать этот вид модулей памяти, сделав его очень популярным вплоть до 2001 года. Большинство компьютеров с процессорами Pentium и Celeron использовали именно этот вид памяти.

DDR

DDR (Double Data Rate) стал развитием SDRAM. Этот вид модулей памяти впервые появился на рынке в 2001 году. Основное отличие между DDR и SDRAM заключается в том, что вместо удвоения тактовой частоты для ускорения работы, эти модули передают данные дважды за один такт.

DDR2

DDR2 (Double Data Rate 2) — более новый вариант DDR, который теоретически должен быть в два раза более быстрым. Впервые память DDR2 появилась в 2003 году, а чипсеты, поддерживающие ее — в середине 2004. Основное отличие DDR2 от DDR — способность работать на значительно большей тактовой частоте, благодаря усовершенствованиям в конструкции. По внешнему виду отличается от DDR числом контактов: оно увеличилось со 184 (у DDR) до 240 (у DDR2).

DDR3

Как и модули памяти DDR2, они выпускаются в виде 240-контактной печатной платы (по 120 контактов с каждой стороны модуля), однако не являются электрически совместимыми с последними, и по этой причине имеют иное расположение «ключа».

Ну и наконец, есть еще один вид оперативной памяти — RIMM (Rambus). Появился на рынке в 1999 году. Он основан на традиционной DRAM, но с кардинально измененной архитектурой. В персональных компьютерах этот тип оперативки не прижился и применялся очень редко. Такие модули применялись еще в игровых приставках Sony Playstation 2 и Nintendo 64.

SIMM на 30 контактов.